純凈度遠遠高于優級純的化學試劑叫做高純度實驗試劑。是在通用性實驗試劑基本上發展壯大下去的，是為了更好地專業的應用目地而用獨特方式生產制造的純凈度高的實驗試劑。高純度實驗試劑操縱的是殘渣項成分，標準實驗試劑操縱的是主成分，標準實驗試劑可以用規范溶液的配制，但高純度實驗試劑不可以用以規范溶液的配制（化合物金屬氧化物以外）。
現階段在國際性上也無統一的確立規格型號，在我國除對極少數商品制訂了行業標準外，絕大多數高純度實驗試劑的檢測標準還很不統一，在名字上也是有高純度、超純、特純、光譜儀純、電子器件純等不一樣稱呼。一般以9來表明商品的純凈度。故在規格型號欄招標以2個9、3個9、4個9依此類推，依據這一標準可將高純度化學物質分成：
殘渣總成分不得超過1.5×10-2%，其純凈度為3.5個9（99.95）縮寫為3.5N
殘渣總成分不得超過1.0×10-2%，其純凈度為4個9（99.99）縮寫為4.0N
殘渣總成分不得超過1.0×10-3%，其純凈度為5個9（99.999）縮寫為5N
對高純度實驗試劑或高純度原素純凈度或殘渣成分的檢測，一般常見原子吸收光譜、分子光譜分析法、色譜儀、質譜分析色度化學成分分析等方式 開展測量。其陽離子規格型號正常情況下參考實驗試劑優等品規范，沒有優等品規范的商品由制造企業自主制訂。依據應用領域不一樣，把高純度實驗試劑又分為幾類：
一般離純化學試劑：
就是指一些高純度化合物金屬材料、金屬氧化物、金屬材料酸鹽等，常見于核能工業生產原材料、電子工業材料、半導體材料基本資料等，金屬單質的金屬氧化物、用于配置標液和做為標準物質，此類實驗試劑常規定成分在4N-6N中間。
潔凈電子器件純實驗試劑：
潔凈高純度實驗試劑是電子器件（IC）生產制造工序中的專用型化工品，用以硅片清洗、光刻技術、浸蝕工藝流程中。對這類高純度實驗試劑中可溶殘渣和固體顆粒規定十分嚴苛，為融入IC處理速度不斷提升的要求，國際性上半導體材料行業協會（SemiconductorIndustryAssociation）近期發布Semic7(合適0.8-1.2μm生產工藝)和Semic8(合適于0.2-0.6μm生產工藝)等級的實驗試劑檢測標準。在我國在原來MOS級、BV-I級實驗試劑的基本上，又制訂出BV-II級和BV-III級實驗試劑規范（等同于Semic7）。